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TGF2023-20中文资料

  • 大小：302.24KB
  • 厂家：triquint
  • 描述：100 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT
  • 制造商：TriQuint
  • 技术类型：HEMT
  • 频率：18 GHz
  • 增益：15 dB
  • 漏源电压 VDS：40 V
  • 闸/源击穿电压：- 3 V
  • 漏极连续电流：6 A
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 功率耗散：80 W
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：17-Pin-Die
  • P1dB：50 dBm
  • 零件号别名：1068840

TGF2023-20供应商

更新时间:2023-01-26 16:44:27
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